Effiziente Leistungsumwandlung mit GaN-Bauelementen
80% geringere Verluste mit GaN-Leistungsbauelementen erreichen
Wachsende Anforderungen an Elektrifizierung und CO₂-Reduktion erfordern revolutionäre Verbesserungen der Energieumwandlungseffizienz. Traditionelle Siliziumlösungen stoßen bei Verlustleistungen an ihre Grenzen, was die Systemleistung, das Gewicht und die Kühlanforderungen beeinträchtigt.
Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren bieten eine deutlich höhere Effizienz im Vergleich zu Silizium- und SiC-Alternativen und erreichen eine Umwandlungseffizienz von bis zu 99 Prozent. Diese Technologie ermöglicht eine deutliche Reduzierung von Energieverlusten, Systemkomplexität und Anforderungen an das Wärmemanagement in den Bereichen Automotive, Rechenzentren, Telekommunikation und industrielle Anwendungen.
Laden Sie das Whitepaper herunter, um zu erfahren, wie Sie:
- GaN vs. Si/SiC bewerten: Vergleich der tatsächlichen Effizienzgewinne und Schaltgeschwindigkeiten
- Verluste um 80% reduzieren: Berechnungsmethoden für Ihre Energiesysteme kennenlernen
- GaN-Designs umsetzen: Praktische Integration für maximale Effizienz
- Thermische Systeme optimieren: Exakte Reduzierung des Kühlbedarfs berechnen
- Beste Praktiken anwenden: Basierend auf den Anforderungen der Anwendung