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Leistung mit integrierter Diode, Quellenselektor und eFuse

Verbessern Sie die Systemsteuerung: Back-to-Back-MOSFETs

Leistung mit integrierter Diode, Quellenselektor und eFuse

Herkömmliche Siliziumdioden leiden unter Leistungsverlusten und weisen keine fortschrittlichen Funktionen auf. Ideale Dioden, die MOSFETs verwenden, beseitigen diese Nachteile und ermöglichen eine intelligente Energieverwaltung.

Standard-Siliziumdioden weisen einen Spannungsabfall von 0,6V bis 0,7V auf, was bei Hochstromanwendungen zu erheblichen Leistungsverlusten führt. Die ideale Diode, die auf einem MOSFET basiert, eliminiert diesen Verlust und bietet fortschrittliche Funktionen, wie Prioritätsquellenauswahl, Strombegrenzung und Einschaltstrombegrenzung. Dieser Artikel befasst sich mit idealen Dioden und ihren Vorteilen, einschließlich einer integrierten Lösung, die einen umfassenden Systemschutz bietet. Er veranschaulicht auch die Schaltung einer idealen Diode mit einem MOSFET.

Zu den behandelten Themen gehören:

  1. Grundlagen der idealen Diode, Anwendungsbeispiele und Spezifikationen 
  2. Wichtige Systemschutzanforderungen 
  3. Die wichtigsten Spezifikationen für ideale Diodenschaltungen und ihre Auswirkungen auf die Systemleistung
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